据最新消息，三星电子今年第一季度将其NAND闪存的价格提高了一倍多，涨幅远超市场预期。目前三星电子已经着手与客户就第二季度的NAND价格进行新一轮谈判，市场普遍预计价格上涨的势头将在第二季度延续。 多家机构分析认为，AI浪潮驱动的“存储芯片超等周期”正全面到来。花旗预计，2026年动态随机存取存储器（DRAM）与闪存产品的平均售价或将分别上涨88%、74%，涨幅高于该行此前预测的53%、44%。 1月25日，据韩国《电子时报》报道，今年第一季度，三星电子将NAND闪存的供应价格上调了100%以上，这一涨幅远高于市场此前预期，凸显了当前存储芯片市场严重的供需失衡现状。 报道称，据业内知情人士透露，三星电子已于2025年年底完成了与主要客户的供应合同谈判，并从今年1月起正式实施新的价格体系。 据报道，目前三星电子已经着手与客户就今年第二季度的NAND价格进行新一轮谈判，市场普遍预计价格上涨的势头将在第二季度延续。 随着企业级固态硬盘（eSSD）需求因数据中心扩张而爆发，以及“端侧AI”推动移动设备和PC向高容量存储升级，需求端呈现指数级增长。然而，供给端并未能及时跟进，导致存储芯片市场正陷入“有价无货”的局面。 野村证券等海外投行指出，即使是市场排名第五的SanDisk，也计划在新的一年将NAND价格上调100%。一位行业相关人士表示，与DRAM的情况如出一辙，NAND制造商纷纷加入涨价行列，全行业的全面提价已成定局。 在供给端，存储芯片市场仍面临严重的产能刚性制约。过去一年中，NAND闪存领域并未出现大规模的产能扩充，主要制造商包括三星电子在内，在投资上均保持了审慎态度，业界的共识是出货量的增长极为有限。 存储芯片涨价的压力将不可避免地向消费端传导。行业观察人士指出，不仅是AI数据中心，智能手机和PC制造商也计划因应内存成本上涨而提高最终产品的售价。 种种迹象表明，存储芯片市场供应紧张或将持续。日本存储巨头铠侠日前警告称，至少在未来两年内，存储市场将持续受到AI相关投资的影响。更糟糕的是，消费者将不得不为相同的产品支付更高的价格。 目前铠侠正全力提升面向企业级AI场景的存储设备性能。然而，对于个人消费者而言，这一重心倾斜却推高了传统消费级存储产品的价格。 为统筹市场需求，铠侠正与持久合作伙伴协调年度芯片产能的分配方案，而非将产能优先分配给出价最高的买家，以避免市场失序。 在华尔街，花旗、摩根士丹利以及美国银行研究团队一致认为，AI浪潮驱动的“存储芯片超等周期”全面到来，且这一轮周期的强度与持续时间长度可能远远强于2018年的那轮“云计算时代驱动的存储超等牛市”。 分析师指出，受AI应用程序使用率提升，以及AI训练和推理专用中央处理器需求增长的推动，今年通用型存储器产品预计将出现严重短缺。 野村分析师认为，这一轮始于2025年下半年的“存储芯片超等周期”至少延续至2027年，并且真正有意义的新增供给最早要到2028年初期才会出现。